本文最新研制了一种用锑化铟-铟（InSb-In）共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的InSb-In磁敏元件构成，将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测，磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件，输出信号相位差在00～1800之间，信噪比在30dB～32dB范围内。当温度-400C～800C之间变化时，信号处理电路输出稳定可靠。<br>资助项目：广东省自然科学基金重点项目（963058）; 广东省高新技术产业发展资金（成果孵化）项目（98FF01）